主要用于五金裝飾的耐磨、耐腐蝕硬膜，LOW-E鍍膜玻璃，半導體電子加工尺寸:長(cháng)度:4000MM厚度:6-10MM，直型、狗骨型，對于貨品靶材，若剩余下的高純殘靶若以普通廢料進(jìn)行處理，將會(huì )是對稀貴材料的較大浪費；同時(shí)，靶材從原材料到加工成成品，成材率一般只有40%-80%，大量的余料和殘屑需要更新循環(huán)利用。對于貨品靶材，由于材料價(jià)格昂貴，迫切需要對加工過(guò)程的余料殘屑的提純再利用及對殘進(jìn)行回收加工增值服務(wù)，有效增加材料利用效率和節約資源。對于貨品余料殘屑及殘的處理可為機械物理法回收和化學(xué)精煉提純回收。機械物理法可應用于單質(zhì)金屬殘靶及加工廢料。通過(guò)機械切削對單質(zhì)殘表面進(jìn)行處理，然后采用酸洗去除表面殘留雜質(zhì)的方法對殘祀回收再利用。

鋁釹靶材主要是用于平面顯示器、觸摸屏的玻璃基板電極層的鍍膜。目前主要是 用真空熔煉和熱壓燒結方法研發(fā)和生產(chǎn)小尺寸平面靶，大尺寸靶是通過(guò)小尺寸拼接形成。 由于不是一體化（需要拼接）容易產(chǎn)生電弧放電，因此成膜質(zhì)量差，難以真實(shí)應用到高質(zhì)量 的顯示屏、觸摸屏上。盡管，人們已經(jīng)采用真空熔煉生產(chǎn)空心鋁釹靶靶管，并通過(guò)銦焊綁定 到不銹鋼背管上生產(chǎn)鋁釹旋轉靶材。由于銦焊料昂貴（占整個(gè)靶材成本50% )導致鋁釹 旋轉靶材的成本高；另一方面，由于是一節節靶管拼接而成存在節縫，在使用時(shí)容易形成電 弧放電，降低成膜質(zhì)量。此外，由于采用低熔點(diǎn)的銦焊接，靶材使用時(shí)發(fā)熱，容易導致脫靶現 象，還有鋁釹靶管焊接時(shí)熱收縮不容易控制，焊接難度大。

真空鍍膜機是在中間設置真空室，在真空室的左右兩側設置左右大門(mén)，而在其中配裝蒸發(fā)裝置和磁控裝置，可在該雙門(mén)上預留該兩裝置的接口，以備需要時(shí)換裝。真空鍍膜機一般都是由真空系統、蒸發(fā)系統、薄膜卷繞系統、冷卻系統、控制系統等主要部分組成。當薄膜運行速度達到一定數值后，打開(kāi)擋板使氣態(tài)鋁微粒在移動(dòng)的薄膜基材表面沉積、冷卻即形成一層連續而光亮的金屬鋁層。通過(guò)控制金屬鋁的蒸發(fā)速度、基材薄膜的移動(dòng)速度等來(lái)控制鍍鋁層的厚度，一般鍍鋁層厚度在250～500。而蒸發(fā)真空鍍膜機是專(zhuān)業(yè)在塑料表面進(jìn)行蒸發(fā)鍍鋁、鉻、一氧化硅的專(zhuān)用設備，鍍出的膜層牢固且細密，是工業(yè)化生產(chǎn)的理想設備，其特點(diǎn)是它的環(huán)保性，真空鍍膜設備屬于無(wú)三廢、純凈的清潔生產(chǎn)設備。

磁控濺射靶材是真空磁控濺射鍍膜的核心部件，半導體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來(lái)講，半導體芯片的制作過(guò)程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個(gè)環(huán)節中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是半導體、顯示面板等的關(guān)鍵核心材料，國內總需求占比超30%，但可自主生產(chǎn)的市場(chǎng)規模不足2%。伴隨高等制造業(yè)向國內轉移趨勢，國產(chǎn)替代空間明顯。

隨著(zhù)半導體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成化程度越來(lái)越高，單位面積單晶硅片集成器件數呈指數級增長(cháng)，主流的硅片尺寸已從12英寸（300mm）逐漸邁向18英寸（450mm）或者更高，國內ITO導電膜產(chǎn)業(yè)，日本企業(yè)進(jìn)入該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域較早，不僅具有上游原料優(yōu)勢，而且上下游供應鏈維持良好，ITO導電膜產(chǎn)業(yè)處于大部分國家的領(lǐng)導地位。2008年大部分國家ITO導電膜產(chǎn)品供不應求，隨著(zhù)市場(chǎng)需求的逐步擴大，及行業(yè)技術(shù)的逐漸發(fā)展，韓國企業(yè)陸續進(jìn)入，包括韓國LG化學(xué)，SKC等企業(yè)。具備一定技術(shù)實(shí)力的中國地區企業(yè)。大陸企業(yè)也紛紛進(jìn)入這一行業(yè)。在靶材應用領(lǐng)域中，半導體芯片對靶材的金屬材料純度、內部微觀(guān)結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(cháng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導體芯片對靶材的要求是比較高的,一般要求靶材的純度要在99.999%以上,價(jià)格也昂貴。

中國超過(guò)韓國成為大部分國家大的LCD生產(chǎn)大國;2019年,韓國宣布繼續減少LCD產(chǎn)能轉戰OLED市場(chǎng),中國持續布局OLED、LCD顯示器、導電玻璃以及太陽(yáng)能電池等。ITO/Si異質(zhì)結光電器件與p-n結光電池比較具有工藝簡(jiǎn)單,轉換效率高等特點(diǎn).ITO是In_2O_3與SnO_2按一定比例的混合物.用電阻加熱真空蒸發(fā)法制備,避免了環(huán)境沾污,得到的特性較好.ITO有著(zhù)多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導體Si上形成勢壘作為SIS結的一層以及抗反射層。銦是中國在儲量上占據優(yōu)勢的資源。

在A(yíng)ZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術(shù)具有成膜致密和成本低等優(yōu)點(diǎn)。真空鍍膜機設備實(shí)驗分析與討論1.蒸發(fā)過(guò)程中的真空條件真空容器內蒸汽分子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離（稱(chēng)蒸距）時(shí)，就會(huì )獲得充分的真空條件。為此，增加殘余氣體的平均自由程，借以減少蒸汽分子與殘余氣體分子的碰撞幾率，把真空室內抽成高真空是非常必要的。2.影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素:影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素有很多，主要有真空度、蒸發(fā)源的形狀、基片的、蒸發(fā)源的溫度等。固體物質(zhì)在常溫和常壓下，蒸發(fā)量極低。真空度越高，蒸發(fā)源材料的分子越易于離開(kāi)材料表面向四周散射。真空室內的分子越少，蒸發(fā)分子與氣體分子碰撞的概率就越小，從而能無(wú)阻擋地直線(xiàn)達到基片的表面。3.蒸發(fā)源選取原則1.有良好的熱穩定性，化學(xué)性質(zhì)不活潑。

廣州市尤特新材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“尤特”），成立于2003年，位于羊城廣州的北面-花都,占地總面積約3萬(wàn)平方米。尤特是一家專(zhuān)注于時(shí)尚消費電子產(chǎn)業(yè)、節能綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)、新材料新技術(shù)開(kāi)發(fā)和應用的重要高新技術(shù)企業(yè)。尤特以生產(chǎn)信息存儲記錄材料為起點(diǎn)，經(jīng)過(guò)10多年的開(kāi)拓與發(fā)展，產(chǎn)業(yè)技術(shù)不斷迭代與升級，尤特的技術(shù)及應用涉獵范圍逐步擴大，其中主要包括：真空鍍膜靶材；環(huán)保（UV/水性）材料；觸控顯示材料；印刷技術(shù)及材料；信息存儲材料、導電散熱材料等。尤特一直倡導“新材料、促環(huán)保、美生活”企業(yè)使命。尤特遵循科學(xué)體系管理，先后通過(guò)《質(zhì)量管理體系》、《環(huán)境管理體系》、《職業(yè)健康與安全管理體系》認證并有效運行，產(chǎn)品符合全部環(huán)境及安全標準；獲得SONY GP綠色合作伙伴全部認證等。尤特重視產(chǎn)品研發(fā)及技術(shù)創(chuàng )新，先后與"武漢大學(xué)"、"華南理工大學(xué)"、"中南大學(xué)"等高校、研究所建立"產(chǎn)學(xué)研"合作機制，并承擔多項省市立項的科研項目，公司目前已擁有幾十項自主研發(fā)新興材料及工藝的知識產(chǎn)權，是廣州市扶持科技型要點(diǎn)培育上市企業(yè)。尤特先后獲得相關(guān)機構的授予多個(gè)榮譽(yù)：如“國家生產(chǎn)力促進(jìn)獎、國家有名商標、廣東省守合同重信用企業(yè)、廣東省雇主責任示范企業(yè)、廣州市安全生產(chǎn)標準化達標企業(yè)、廣州市工程技術(shù)研發(fā)中心、廣州科技小巨人企業(yè)、地方納稅企業(yè)”等榮譽(yù)。尤特全體同仁秉承“創(chuàng )造價(jià)值，分享價(jià)值“的核心價(jià)值觀(guān)，借鑒以往成功管理運營(yíng)經(jīng)驗，持續深挖磁控濺射鍍膜材料下游應用市場(chǎng)，不斷拓寬市場(chǎng)應用領(lǐng)域，做優(yōu)做強鍍膜材料產(chǎn)業(yè),將公司打造為--磁控濺射靶材行業(yè)者。

主營(yíng)產(chǎn)品：濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉靶材,平面靶材,噴涂靶材,靶材,UV玻璃油墨 公司成立年份：2003
公司網(wǎng)址：http://UVTMCOM.glass.com.cn

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