硅碳棒在氧化氣氛中使用會(huì )逐漸氧化生成二氧化硅，隨之電阻逐漸增加導致硅碳棒老化，此外也與材料老化性能有關(guān)。氧化反應方程式如下：SiC+2O2 → SiO2+CO2

?碳化硅在空氣中與氧氣（O2）反應，隨著(zhù)二氧化硅（SiO2）數量的增加，硅碳棒表面逐步氧化，引起阻值加大。當溫度達到800℃時(shí)出現氧化反應，溫度越高反應越快。這種氧化過(guò)程在硅碳棒的使用初期硅碳棒表面未能形成致密的氧化膜，氧化反應較快，電阻增加尤為顯著(zhù)，隨著(zhù)反應的進(jìn)行，當在硅碳棒表面形成致密的氧化膜以后，進(jìn)入電阻穩定區。之后隨著(zhù)時(shí)間的增加，導電層逐漸減少，絕緣層逐漸增加，硅碳棒的內部產(chǎn)生局部過(guò)熱，電阻快速增加。一般情況下當阻值達到初始阻值的約3倍時(shí)，硅碳棒的壽命達到較限（而螺旋棒卻不同，要達到其初始阻值的約1.7倍）。這是因為當阻值增加到其3倍時(shí)，每根棒發(fā)熱分布不均勻，從而導致?tīng)t內溫度分布不均勻。當硅碳棒壽命將盡時(shí)，不但阻值會(huì )增加而且會(huì )因氣孔率的變化、強度變化等原因發(fā)生斷棒事件。