科研實(shí)驗專(zhuān)項使用氧化鎵靶材Ga2O3磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

氧化鎵（Ga2O3）別名是三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV；不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液，易溶于堿金屬氫氧化物和稀無(wú)機酸；有α，β兩種變體，α型為白色菱形六面體，熔點(diǎn)：1900℃(在600℃時(shí)轉化為β型)。用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導體材料制備。它是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線(xiàn)濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器。

產(chǎn)品參數

中文名 氧化鎵 分子式 Ga2O3

分子量 187.44 熔點(diǎn) 1740℃

密度 5.88g/ml 純度 99.99%

強烈建議陶瓷化合物靶材綁定背靶使用。陶瓷靶材質(zhì)脆，受熱不均勻易裂。不建議超過(guò)3mm。 推薦綁定銅背靶，以增強導熱導電性。減少靶材碎裂的可能。 陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導熱性差，連續長(cháng)時(shí)間濺射易發(fā)生裂靶情況，綁定背靶后，可以提高化合物靶材的導熱性能，提高濺射過(guò)程的散熱性、提高靶材利用率，從而提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！

可根據您的要求定制各類(lèi)特殊合金靶材，各種合金配比、靶材形狀（平面靶、多弧靶、旋轉靶及其它異形靶材）、尺寸規格均可定制。歡迎咨詢(xún)。

北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司創(chuàng )建于2016年,是國內有色金屬行業(yè)綜合性研究開(kāi)發(fā)公司。 現有員工100余人。我公司光學(xué)鍍膜材料中心以國內的技術(shù)，多年來(lái)一直有經(jīng)驗從事光學(xué)鍍膜材料及濺射靶材的研發(fā)與生產(chǎn)。靶材包括各種氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、復合物、金屬及合金等，也可根據您的要求量身定做。通過(guò)嚴格控制生產(chǎn)、并持續改進(jìn)、穩步發(fā)展，致力為客戶(hù)提供的產(chǎn)品。 公司現有靶材熱壓爐；真空蒸餾裝置，電解槽，單晶爐，區熔裝置，CVD（化學(xué)氣象沉積）裝置，PVD（物理氣象沉積）裝置，移動(dòng)式加熱裝置等多種高純金屬和化合物生產(chǎn)研發(fā)設備；提純工藝包括：真空蒸餾；精餾；區域熔煉；電解；化學(xué)氣象沉積；物理氣象沉積；熱擴散；單晶提拉法等。純度從99.9%-99.99999%,公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品，產(chǎn)品涉及工具/裝飾鍍膜、玻璃鍍膜、光學(xué)鍍膜、平面顯示/觸摸屏鍍膜、薄膜太陽(yáng)能鍍膜等多個(gè)領(lǐng)域廣泛應用到國內外眾多知名太陽(yáng)能、航空航天、生物健康、軍工微電子、信息儲存、汽車(chē)、船舶、裝飾、工業(yè)鍍膜、新能源企業(yè)當中。 自有設備：真空熱壓爐，真空中頻感應熔煉爐，冷坩堝懸浮熔煉爐，非自耗真空電弧爐，真空高溫加熱爐，真空燒結爐，真空蒸餾爐，定向凝固，區域熔煉爐，多溫區加熱爐，單晶爐，高溫燒結爐，單溫區，雙溫區、多溫區液相、氣相合成爐、氧化爐、加工設備。 北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司幾年來(lái)已先后與國內幾十家知名高校、中科院等研究院所建立了長(cháng)期友好的合作關(guān)系，并與這些科研單位有密切的學(xué)術(shù)交流和技術(shù)合作項目，并遠銷(xiāo)歐洲、美國、日本、韓國等，在鍍膜行業(yè)擁有良好的聲譽(yù)。

主營(yíng)產(chǎn)品：靶材,陶瓷靶材,金屬靶材,非金屬靶材 公司成立年份：2016
公司網(wǎng)址：http://jingmaizhongke.glass.com.cn

地區：北京 北京 通州區
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